ROHM stellt 650-V-IGBTs mit branchenführenden verlustarmen Eigenschaften vor

31.08.2026

KYOTO, Japan, 31. August 2026 /PRNewswire/ -- ROHM Co., Ltd. hat 650-V-IGBTs der vierten Generation für elektrische Kompressoren und Hochvolt-Heizungen in Kraftfahrzeugen sowie Wechselrichter für Industrieanlagen entwickelt. Als Produkte der 650-V-Klasse für Automotive-Anwendungen erzielen die neuen IGBTs mit VCE(sat) = 1,55 V branchenweit führende* niedrige Durchlassverluste; gleichzeitig bieten sie eine hohe Kurzschlussfestigkeit und erfüllen den Zuverlässigkeitsstandard AEC-Q101 für die Automobilindustrie.

*Studie von ROHM vom 25. August 2026

Abbildung 1: Produktmerkmale  https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202608194399/_prw_PI1fl_XfM2m2kD.jpg

Da Elektrofahrzeuge zunehmend auf höhere Spannungen umgestellt werden, findet SiC immer häufiger in Hochleistungsanwendungen wie Antriebswechselrichtern Verwendung. Gleichzeitig werden 650-V-IGBTs in großem Umfang als Schaltgeräte in Hilfssystemen mit geringerer Leistungsaufnahme eingesetzt, darunter elektrische Kompressoren und Hochspannungsheizungen sowie in Industrieanlagen wie Motoren und Kompressoren, und es wird erwartet, dass die Nachfrage weiter steigen wird.

Diese Anwendungen erfordern größere Energieeinsparungen und kompaktere Geräteausführungen, was zu einer starken Nachfrage nach Leistungsbauelementen führt, die eine höhere Zuverlässigkeit, kleinere Abmessungen und einen höheren Wirkungsgrad bieten. Insbesondere Wechselrichter- und Heizkreise erfordern eine Kurzschlussfestigkeit, die ausreicht, um die Zeit zu überbrücken, die zur Erkennung und Unterbrechung eines Überstroms benötigt wird.

Um diesen Anforderungen gerecht zu werden, hat ROHM die Bauelementstruktur, den Herstellungsprozess und die Randanschlussstruktur neu gestaltet und so IGBTs der 4. Generation entwickelt, die verlustarme Eigenschaften mit hoher Kurzschlussfestigkeit kombinieren und gleichzeitig den Anforderungen an höhere Spannungen gerecht werden. Diese Produkte erhöhen die Stromdichte und reduzieren gleichzeitig die Leit- und Schaltverluste. Trotz des Kompromisses zwischen geringeren Verlusten und Kurzschlussfestigkeit erreichen die Produkte eine Kurzschlussstandzeit von 7 Mikrosekunden bei Tj = 25 °C, was zur Verbesserung der Anwendeneffizienz und -zuverlässigkeit beiträgt.

Das Sortiment umfasst 12 Produkte im TO-247N-Gehäuse, die Serien „RGAxxTS65HR" / RGAxxTS65EHR, sowie 10 Bare-Wafer-Produkte der Serie SG83xxWN. ROHM entwickelt außerdem 12 Produkte im TO-247-4L-Gehäuse, die Serien RGAxxTR65HR / RGAxxTR65EHR.

„RGAxxTS65HR": https://www.rohm.com/products/igbt/field-stop-trench-igbt?CollectorEmitterVoltage_num=650.0&PS_IgbtType=A:%20For%20inverter%20(tsc%207-10%C2%B5s)&PS_BuiltInDiode=-#epfProductSeries

„RGAxxTS65EHR": https://www.rohm.com/products/igbt/field-stop-trench-igbt?CollectorEmitterVoltage_num=650.0&PS_IgbtType=A:%20For%20inverter%20(tsc%207-10%C2%B5s)&PS_BuiltInDiode=FRD#epfProductSeries

„SG83xxWN": https://www.rohm.com/products/igbt/igbt-bare-die?CollectorEmitterVoltage_num=650.0&PS_IgbtType=A:%20For%20inverter%20(tsc%207-10%C2%B5s)#productFamily

Für die Zukunft plant ROHM, das Sortiment in denselben Gehäusen weiter auszubauen und kompakte IGBTs für die Oberflächenmontage im TO-263L-Gehäuse sowie in TSC-Gehäusen (Top-Side Cooling) zu entwickeln. ROHM wird das Sortiment an Hochleistungs-IGBTs weiter ausbauen, um einen höheren Wirkungsgrad und die Miniaturisierung in Automobil- und Industriegeräten zu unterstützen.

Abbildungen: Produktportfolio diskreter Bauelemente im TO-247-N-Gehäuse https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202608194399/_prw_PI2fl_34OH2Okk.jpg

Abbildungen: Produktpalette diskreter Bauelemente im TO-247-4L-Gehäuse https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202608194399/_prw_PI6fl_76Ha3uxp.jpg

Abbildungen: Produktpalette an Bare Wafern https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202608194399/_prw_PI4fl_12gp0324.jpg

Informationen zur Marke EcoIGBT (TM) und zum Support: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202608194399-O1-T04yoz6p.pdf

Pressemitteilung: https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2026-08-25_news_igbt&defaultGroupId=false

Informationen zu ROHM: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202608194399-O2-07aO23A1.pdf

Logo: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202608194399/_prw_PI5fl_7ltyL0G9.jpg

Offizielle Website: https://www.rohm.com/

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WIdO-Analyse: Prävention könnte Hunderttausende Demenzerkrankungen verhindern

15.06.2026

Die Zahl der Demenzerkrankungen in Deutschland könnte bis 2060 deutlich ansteigen und das Versorgungssystem spürbar unter Druck setzen. Nach neuen Prognosen des Wissenschaftlichen Instituts der AOK (WIdO) dürfte die Zahl der Betroffenen bei weiter steigender Lebenserwartung von derzeit rund 1,3 Millionen auf bis zu 2,1 Millionen zunehmen. Grundlage der Berechnungen ist ein kleinräumiges Prognoseverfahren, das das Institut gemeinsam mit den Universitäten Trier, Rostock und Köln entwickelt hat.

Die Analyse reicht hinunter bis auf die Ebene von 400 Kreisen und kreisfreien Städten und macht deutliche regionale Unterschiede sichtbar. Bereits 2020 lag der Anteil der Demenzkranken zwischen 1,0 Prozent in Tübingen und 2,6 Prozent in der brandenburgischen Prignitz. Für das Jahr 2060 erwarten die Forscher eine Spanne von 1,7 Prozent Demenzkranken in München bis zu 6,2 Prozent im Landkreis Elbe-Elster in Brandenburg. Besonders betroffen sind damit vor allem ländliche Regionen im Osten, die überdurchschnittlich altern.

Parallel zur wachsenden Zahl von Demenzfällen schrumpft der Pool potenzieller Pflege- und Betreuungspersonen im Erwerbsalter. Laut Studie kamen im Jahr 2020 rechnerisch noch 38 Menschen im erwerbsfähigen Alter auf einen Demenzfall. Bis 2060 dürfte dieses Verhältnis auf 21 Erwerbspersonen pro Fall sinken. Damit würden deutlich mehr Erkrankte von einer deutlich kleineren Zahl potenziell Erwerbstätiger versorgt werden müssen – mit entsprechenden Konsequenzen für Pflegeinfrastruktur, Kommunen und Sozialversicherungen.

Die Autoren der Studie betonen zugleich, dass der prognostizierte Anstieg nicht zwangsläufig ist. Nach heutigem wissenschaftlichem Stand lassen sich Demenzrisiken durch Prävention spürbar senken. Eine konsequentere Behandlung von Bluthochdruck und Diabetes, der Verzicht auf Rauchen oder ein höheres Bildungsniveau könnten dazu beitragen, etwa die Hälfte der Neuerkrankungen zu vermeiden. In einem solchen Szenario würde sich die Zahl der Demenzfälle im Jahr 2060 nicht weiter erhöhen, sondern sich auf einem Niveau zwischen 1,3 und 1,5 Millionen stabilisieren. Die Spannbreite der Projektionen zeigt damit, wie stark der künftige Versorgungsdruck von heute eingeleiteten Präventionsstrategien abhängen dürfte.